12月15日消息，据报导，韩国本土的半导体和显示材料开发商——石墨烯实验室 (Graphene Lab) 开发出了基于石墨烯制造的EUV光罩保护膜 (Pellicle) ，有望显著提高ASML的极紫外光 (EUV) 系统生产芯片的良率。

据了解，光罩保护膜是一种薄膜，可保护光罩表面免受空气中微分子或污染物的影响，这对于 5nm或以下节点制程的先进制程技术的良率表现至关重要。

另外，光罩保护膜也是一种需要定期更换的消耗品，而由于EUV光刻设备的光源波长较短，因此护膜需要较薄厚度来增加透光率。

之前，硅已被用于制造光罩护膜，但石墨烯会是一种更好的材料，因为石墨烯制造的光罩保护膜比硅更薄、更透明。

报导还强调，EUV光罩护膜必须能够承受曝光过程中发生的 800 度或更高的高温，而基于石墨烯材料的光罩保护膜在高温下的硬化特性要好，相比之下硅制产品非常容易破裂。

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