中国上海——2022年9月21日——恩智浦半导体（NXP Semiconductors N.V.，纳斯达克股票代码：NXPI）宣布推出功率更高的全新BTS7202射频前端接收模组（FEM）和BTS6403/6305预驱动放大器，用于支持每个通道功率高达20W的5G大规模多入多出（MIMO）基站建设。两款新器件采用恩智浦的锗硅（SiGe）工艺开发和实现，功耗适中，可帮助移动网络运营商（MNO）降低运营成本。另外，新器件的高线性度和低噪声系数，有助于提高5G信号质量。

产品重要性

随着全球5G网络不断增加，越来越多的移动网络运营商在城市中人口不太密集的区域及郊区采用32T32R解决方案来提高大规模MIMO基站的信号覆盖范围。然而，采用32T32R解决方案，对每个通道来说，需要使用更高功率的射频器件，以确保5G信号覆盖所需的总功率。 

恩智浦副总裁兼智能天线解决方案总经理Doeco Terpstra表示：“随着5G网络逐渐密集，更高功率的解决方案才能确保网络和信号质量始终如一。我们的客户认知到，更高功率的解决方案不仅能够满足网络运营商32天线阵的功率需求，同时不影响网络质量。”

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全新BTS7202射频前端接收模组（FEM）和BTS6403/6305预驱动放大器为5G基站提供了便捷、广泛的解决方案，完善了恩智浦在32T32R功率放大链路上的解决方案。BTS7202射频前端接收模组（FEM）上集成了能够承受高达20W发射链路功率的射频开关，可降低系统复杂性。BTS6305预驱动放大器也集成了巴伦（Balun），可降低设计成本。

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