随着5G、电动车等新应用兴起，氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）等第三代半导体后市看好，台厂在晶圆代工龙头台积电领头下积极卡位，包括世界先进、汉磊、嘉晶、茂矽等也抢进未来每年高达10亿美元的新世代半导体材料应用商机。

　　据研究机构IHS与Yole预测，碳化硅晶圆的全球电力与功率半导体市场产值，将从去年13亿美元扩增至2025年的52亿美元，庞大商机也让许多IDM、硅晶圆与晶圆代工厂争相扩大布局。

　　据悉，台积电已小量提供6吋硅基氮化镓（GaN-on-Si）晶圆代工服务，650伏特和100伏特氮化镓积体电路技术平台预计今年开发完成；今年初，台积电也宣布结盟意法半导体，意法半导体将采用台积电的氮化镓制程技术生产氮化镓产品，加速先进功率氮化镓解决方案开发与上市，携手抢攻电动车市场商机。

　　台积电总裁魏哲家日前公开指出，氮化镓拥有高效能、高电压等特性，该公司在氮化镓制程技术进展不错，符合客户要求，虽然目前还小量生产，他看好未来氮化镓应用前景，预期将会广泛且大量被使用。

　　至于台积电转投资的世界先进，在氮化镓领域也投资研发多年，预计今年底前送样给客户进行产品验证，初期供应电源相关应用产品；世界先进与设备材料厂Kyma及转投资氮化镓硅基板厂Qromis携手合作，着眼开发可做到8吋的新基底高功率氮化镓技术GaN-on-QST，今年底前送样客户做产品验证，瞄准电源应用。

　　不仅台积电与世界先进积极投入，汉磊、嘉晶、茂矽等中小型业者也在既有技术利基下，挥军第三代半导体领域。

　　汉磊SiC 6吋产能已在试产，客户端以电动车需求最大，其他也有资料中心客户，汉磊日前表示，随下半年验证结果陆续出炉，明年对出货量、营收贡献有望逐步垫高。至于嘉晶，GaN on Si已完成650V磊晶平台开发，并开发GaN on SiC及GaN on Si磊晶应用于射频（RF）的产品，GaN on SiC预计年底验证完成，GaN on Si则于明年验证完成。

　　茂矽方面，开始逐步导入绝缘闸双极电晶体（IGBT）、矽基氮化镓（GaN-on-Si）等制程，可望抢下消费性市场订单。