去年11月份,高通正式宣布了旗下的新旗舰处理器骁龙835,随后又在今年初的CES大展上公布了它的技术细节。现如今,骁龙835终于要在国内正式亮相了。

今天,高通宣布,将于3月22日下午在北京召开骁龙835亚洲首秀活动,届时将详细介绍骁龙835的一些技术细节,据说还有会跑分展示,令人非常期待。

目前已经公开的数据显示,骁龙835采用10nm工艺打造,集成了八颗高通自主研发的Kryo 280处理器核心,四颗大核心频率为2.45GHz,四核小核心频率则是1.9GHz;内置的GPU为Adreno 540,DSP省级到Hexagon 682。

此外,骁龙835还整合了X16 LTE基带,这让它成为了全球首款下行速率达到千兆级别的SoC。同时,骁龙835还支持QC 4.0快速充电,相比QC 3.0来说效率可提升30%,速度能够提升20%,而且发热量更低。

而通过10nm工艺加持,高通表示骁龙835的核心面积减少了35%,而且功耗相比骁龙821降低25%。

据说,三星Galaxy S8、小米6等旗舰机均已确定会搭载骁龙835处理器,前者本月底会正式发布,后者的发布时间最迟应该是4月份。