基于10nm制程工艺，高通骁龙835处理器采用4×2.45GHz大核+4×1.9GHz小核的八核设计，大小核均为高通自主Kryo280架构，并搭载Adreno540GPU，支持UFS2.1闪存标准以及LPDDR4x四通道内存。
得益于采用10nmFinFET工艺制程，骁龙835处理器的封装尺寸减小35%，同时功耗降低25%。
性能比骁龙820提升27%，功耗降低40%。
再加上支持高通QC4.0快充技术，配合QC4.0快充技术，充电5分钟，使用5小时。相比上一代QC3.0标准，其充电速度提升了20%，充电效率提升了30%。
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