微触发单向可控硅TSE2P4M和TSE0405采用全新的设计方法和工艺技术，大大改善了其开关性能和温度特性。经国内主要摩托车电器装备厂家使用实践证明，该产品能够克服上一代产品中存在的触发电流不易控制、温度特性差和开关速度低等弱点，有效提高点火器的点火能量及可靠性，其电性能已经达到了国外同类产品的水平。该产品将在2008年8月22日在重庆举办的“2008摩托车电子应用技术创新研讨会”会上发布及展示。

TSE2P4M和TSE0405是利用短基区扩散层的次表面层形成G-K间较大的横向扩散电阻RGK，当可控硅的门极和阴极间加电流IG时，在RGK上产生一个电压降VR，只有当VR≥P-N结的门坎电压VR时，可控硅才会触发。这项新技术的实现，克服了目前市场上的微触发单向可控硅温度特性差、IGT离散性大、开关速度低、VTM大的弱点，有效提升性能，满足了客户的需求。