高通(Qualcomm)与罗德史瓦兹(Rohde & Schwarz)携手展出一系列新晶片组与处理器，其中包括上行载波聚合商用数据机晶片、Cat. 9商用装置、与具备Cat. 6下行传输速度，并配备X8长程演进计画(LTE)数据机晶片的Snapdragon 425处理器。

　　透过与高通的密切合作，R&S率先以进阶长程演进计画(LTE-A)三个下行元件载波聚合的连线，在北京Redefining Connectivity活动与台湾COMPUTEX展览期间，成功展示下一代Qualcomm Snapdragon LTE数据机晶片组的效能；搭配展出的R&S测试配置包含两台R&S CMW500宽频无线通讯测试仪与R&S CMWC Multi-CMW控制器。

　　展出项目包括Snapdragon X12 LTE数据机晶片的上行载波聚合，以UL/DL configuration 1呈现两倍的LTE分时多工(TDD)上传速度，R&S CMW500在此展示中被用以作为eNode B模拟器，增强型上行传输量将可更快速分享高品质照片与影音视频，并加速云端空间档案上传的速度。

　　另外亦展示配备X10 LTE数据机晶片的Snapdragon 810处理器于Cat. 9 LTE-A三个下行元件载波聚合的连线，其LTE TDD下载速度峰值可达320Mbit/s；R&S CMW500于此展示中提供真实网路连线。

　　而配备X8 LTE数据机晶片的Snapdragon 425处理器于Cat. 6 LTE-A两个元件载波聚合的连线，可达300Mbit/s，相当于两倍的LTE下载速度，将为大容量行动装置带来更高品质的传输效能。