盛美半导体设备（上海）有限公司今天宣布第一台Ultra C™ 12英寸单片兆声波清洗设备已经销售给韩国存储器制造巨头。采用盛美的空间交变相移兆声波技术（SAPS），Ultra C无需用高浓度的化学药液，而是采用极低浓度的功能水即可实现优越的颗粒去除率（PRE），并且使材料的流失降到最低。该设备将用于客户最先进器件的制造工艺上。
　
　　Ultra C定位于高端的清洗工艺。通过客户端大生产线验证，Ultra C清洗后的PRE在65nm及以上颗粒达到96%，在44nm至65nm颗粒之间PRE达到74%，单道清洗后的材料损失控制在0.2 Å之内，而竞争对手只能做到PRE在65nm及以上颗粒做到84%，44nm至65nm颗粒之间仅为13%，清洗效果显著优于其它与之竞争的技术。在45nm技术节点，Ultra C的单道清洗将生产良率提高了1.3%。Ultra C是栅极刻蚀后清洗、光掩膜前清洗、离子注入后清洗、氧化前清洗、刻蚀后清洗、金属布线前清洗等工艺的理想解决方案。
　
　　盛美的创始人及CEO，王晖先生说，“这台订单证明市场认可了我们的SAPS清洗技术，越小器件的技术节点对材料流失的工艺参数要求越高，并且影响最终良率的特征颗粒尺寸趋小，因而更难以清洗。我们的SAPS声波清洗技术已被IC制造业巨头接受，成为去除这些纳米级颗粒的可行方案。在45nm及以下技术节点，Ultra C将成为取代现有清洗技术的突破性技术。”
　
　　该设备现已运出，最终验收预计在近期完成。
　
关于空间交变相移技术（SAPS） 
　　盛美独有的自主知识产权技术，“SAPS” 可以控制兆声波能量在硅片面内以及硅片到硅片之间的非均匀度都小于2%。而目前在市面上的单片兆声波清洗设备只能控制兆声波能量非均匀度在10-20%。
　
　　兆声波能量之所以可以去除颗粒是因为兆声波会产生气泡，这些气泡能推动微颗粒离开硅片表面从而去除微颗粒。而关键点是在于如何控制兆声波在硅片表面上的能量，必须要有足够的能量产生气泡，又不能产生过多能量而破坏硅片上的微结构。能有效产生气泡而不产生破坏的能量区间很小，所以要达到高的微颗粒去除率而不造成微结构损坏必须具有很好的兆声波能量均匀度控制能力。如果兆声波能量在硅片上分布不均匀， 那么在硅片上高能量区产生的“热点”将会引起气泡内爆。 当气泡内爆时产生的微射流很容易把硅片上的微结构破坏掉。
　
　　盛美的SAPS兆声波技术可以精确控制兆声波的能量，让气泡来回放大收缩而不会内爆。SAPS以非常均匀的能量分布（一个均方差小于％）能够确保有效的去除微颗粒而不会造成硅片微结构的破坏。